RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
76
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
76
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
1809
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link