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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
総合得点
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
総合得点
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
49
周辺 -113% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.9
8.7
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
23
読み出し速度、GB/s
10.9
17.0
書き込み速度、GB/秒
8.7
12.9
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2938
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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