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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
49
Por volta de -113% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
8.7
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
23
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
12.9
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
2938
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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