RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 49
    周辺 -75% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.2 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 8.7
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 18.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.7 left arrow 14.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2427 left arrow 3535

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB RAMの比較

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
メモリRAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
メモリRAM