RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
49
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
10.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
8.7
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.9
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.7
14.6
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2427
3535
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link