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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
28
读取速度,GB/s
10.9
18.2
写入速度,GB/s
8.7
14.6
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
3535
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Micron Technology 8KTF51264AZ-1G9P1 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
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