Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

総合得点

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

総合得点

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

バグを報告する

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 51

周辺 -82% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

18.4 9.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.7 8.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

51 28
読み出し速度、GB/s

9.8 18.4
書き込み速度、GB/秒

8.1 14.7
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2208 3443

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB

Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB