RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 51
    周辺 -89% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.7 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 17.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 14.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2208 left arrow 3587

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAMの比較

TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
メモリRAM