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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

総合得点
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

総合得点
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Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB 考慮すべき理由
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 51
    周辺 -55% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 13.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2208 left arrow 3072

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Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT8G3S186DM.C16FN 8GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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