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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
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考慮すべき理由
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
51
周辺 -38% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
21.6
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.0
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
37
読み出し速度、GB/s
9.8
21.6
書き込み速度、GB/秒
8.1
15.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2208
3581
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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