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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
総合得点
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
総合得点
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
43
51
周辺 -19% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.2
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.7
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
43
読み出し速度、GB/s
9.8
12.2
書き込み速度、GB/秒
8.1
9.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2208
2501
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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