RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

総合得点
star star star star star
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
バグを報告する
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB 考慮すべき理由
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 51
    周辺 -82% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.1 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 20.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 16.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2208 left arrow 3990

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAMの比較

TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
メモリRAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
メモリRAM