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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
総合得点
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
総合得点
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
51
周辺 -46% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.8
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
35
読み出し速度、GB/s
9.8
15.8
書き込み速度、GB/秒
8.1
12.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2208
2927
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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