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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
総合得点
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
総合得点
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
51
周辺 -70% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.7
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.7
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
12800
周辺 1.83 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
30
読み出し速度、GB/s
9.8
14.7
書き込み速度、GB/秒
8.1
10.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
23400
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2208
2935
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Frequency (Mhz) *
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