RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

総合得点
star star star star star
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
バグを報告する
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB 考慮すべき理由
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    20 left arrow 51
    周辺 -155% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.2 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.3 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 20
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 19.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 16.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2208 left arrow 3432

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAMの比較

TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
メモリRAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
メモリRAM