RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
バグを報告する
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 49
    周辺 -7% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.9 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.8 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 46
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 9.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2465 left arrow 2632

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAMの比較

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
メモリRAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
メモリRAM