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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
49
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
46
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
2632
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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