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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

総合得点
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 10.5
    テスト平均値
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 44
    周辺 -26% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    11.2 left arrow 10.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 8.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2293 left arrow 1998

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Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
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Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
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メモリRAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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