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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
総合得点
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
総合得点
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
44
周辺 -57% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.4
11.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.7
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
28
読み出し速度、GB/s
11.2
18.4
書き込み速度、GB/秒
8.1
14.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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