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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
11.2
18.4
写入速度,GB/s
8.1
14.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3525
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AD64C1D1624E1B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
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