RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
バグを報告する
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 44
    周辺 -69% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.3 left arrow 11.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    11.2 left arrow 19.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 16.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2293 left arrow 3733

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAMの比較

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston MSI16D3LS1KFG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM