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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
44
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
26
读取速度,GB/s
11.2
19.3
写入速度,GB/s
8.1
16.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3733
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
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