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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
総合得点
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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仕様
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考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
44
周辺 -52% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.8
11.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.0
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
29
読み出し速度、GB/s
11.2
13.8
書き込み速度、GB/秒
8.1
11.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2690
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