RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
44
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2690
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link