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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

総合得点
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

総合得点
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Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB 考慮すべき理由
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 44
    周辺 -19% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 11.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.3 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    11.2 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 11.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2293 left arrow 2765

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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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