RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
バグを報告する
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    45 left arrow 49
    周辺 -9% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.7 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.1 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 11.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2070 left arrow 2556

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAMの比較

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB RAMの比較

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
メモリRAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
メモリRAM