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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
比較する
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
総合得点
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
総合得点
AMD R748G2606U2S 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
49
61
周辺 20% 低遅延
考慮すべき理由
AMD R748G2606U2S 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
15
10.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.9
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
61
読み出し速度、GB/s
10.1
15.0
書き込み速度、GB/秒
7.8
8.9
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2070
2028
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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