RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
61
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
61
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2028
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link