RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
61
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
61
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2028
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link