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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
総合得点
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
総合得点
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
49
周辺 -113% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.5
10.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.9
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
23
読み出し速度、GB/s
10.1
17.5
書き込み速度、GB/秒
7.8
12.9
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2070
3208
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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