RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
49
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3208
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link