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Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB vs Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB

総合得点
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Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB

総合得点
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Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
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Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 63
    周辺 -50% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 5.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 42
  • 読み出し速度、GB/s
    8.1 left arrow 12.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.8 left arrow 7.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1740 left arrow 2176

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
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メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Kingston XRMWRN-HYA 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
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メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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