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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
比較する
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
総合得点
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
総合得点
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
49
73
周辺 33% 低遅延
考慮すべき理由
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.7
10
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.5
8.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
73
読み出し速度、GB/s
10.0
14.7
書き込み速度、GB/秒
8.2
8.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2116
1712
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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