RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
73
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
73
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
1712
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link