RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
73
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
73
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
8.2
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
1712
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link