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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB

総合得点
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

総合得点
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 29
    周辺 7% 低遅延
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB 考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.2 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.9 left arrow 7.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 18.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 15.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2057 left arrow 3866

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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
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G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
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Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Kingston 9905713-030.A00G 8GB
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メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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