RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.2
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
7.3
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
3866
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link