RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
29
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
29
Velocità di lettura, GB/s
11.8
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
3866
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link