RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
20.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
17.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3983
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link