RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.9
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
17.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3983
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link