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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
比較する
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
総合得点
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
総合得点
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
9.0
7.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
42
周辺 -68% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
10.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
25
読み出し速度、GB/s
10.6
15.5
書き込み速度、GB/秒
9.0
7.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2423
2364
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
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