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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
10.6
15.5
写入速度,GB/s
9.0
7.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2364
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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