RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
42
Rund um -68% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2423
2364
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link