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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
11.9
16.0
写入速度,GB/s
8.1
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2714
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
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