RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

総合得点
star star star star star
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB

Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,404.5 left arrow 12.8
    テスト平均値
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB 考慮すべき理由
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 104
    周辺 -259% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    104 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    3,192.0 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,404.5 left arrow 12.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    786 left arrow 3239

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
メモリRAM