RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
比較する
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
総合得点
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
総合得点
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,404.5
12.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
104
周辺 -235% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
104
31
読み出し速度、GB/s
3,192.0
16.3
書き込み速度、GB/秒
2,404.5
12.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
786
3120
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAMの比較
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link