Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB

総合得点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

総合得点

Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 20.3

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

2,404.5 17.9

テスト平均値

Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 104

周辺 -259% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 6400

周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

104 29
読み出し速度、GB/s

3,192.0 20.3
書き込み速度、GB/秒

2,404.5 17.9
メモリ帯域幅、mbps

6400 21300

Other

商品説明

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

786 3983

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB

Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB

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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB

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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB

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