RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
比較する
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
総合得点
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
総合得点
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,404.5
13.2
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
104
周辺 -247% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
104
30
読み出し速度、GB/s
3,192.0
17.0
書き込み速度、GB/秒
2,404.5
13.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
786
3117
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAMの比較
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link