RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 20.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,404.5 left arrow 18.1
    テスト平均値
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 104
    周辺 -395% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    104 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    3,192.0 left arrow 20.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,404.5 left arrow 18.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    786 left arrow 4230

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
メモリRAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
メモリRAM
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
メモリRAM