RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
比較する
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
総合得点
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,404.5
10.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
104
周辺 -271% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
104
28
読み出し速度、GB/s
3,192.0
13.8
書き込み速度、GB/秒
2,404.5
10.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
786
2354
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAMの比較
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB RAMの比較
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
バグを報告する
×
Bug description
Source link