RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9905712-010.A00G 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905712-010.A00G 16GB

Kingston 9905712-010.A00G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,404.5 left arrow 10.8
    テスト平均値
Kingston 9905712-010.A00G 16GB 考慮すべき理由
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 104
    周辺 -271% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    104 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    3,192.0 left arrow 12.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,404.5 left arrow 10.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    786 left arrow 2002

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Kingston 9905712-010.A00G 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
メモリRAM